Бонч-Бруевич Виктор Леопольдович

Родился 8 января 1923 года в Москве. Окончил школу в 1941 году.

13 октября 1941 года ушел добровольцем в Красную армию, участвовал в боевых действиях под Москвой в составе 3-го коммунистического батальона московских рабочих Западного фронта. После ранения в январе 1942 года был демобилизован, до июня 1943 года учился в МГУ; затем снова был призван в армию, участвовал в боевых действиях красноармейцем 52-го мотоциклетного полка 4-го Украинского фронта, служил в десантных войсках.

После демобилизации окончил МГУ и аспирантуру в Институте физической химии АН СССР под руководством Ф.Ф. Волькенштейна, преподавал в Московском институте связи, работал на кафедре физики полупроводников физфака МГУ.

Сыграл важную роль в становлении теории полупроводников в СССР. Совместно с Ф.Ф. Волькенштейном выполнил основополагающие работы по теории хемосорбции и катализа на поверхности полупроводников. Ему принадлежат классические результаты по многочастичному обоснованию зонной теории кристаллов методом двухвременных функций Грина.

Одновременно с другими исследователями выполнил пионерские работы по теории сильнолегированных полупроводников. Наиболее известны его исследования по теории неустойчивостей в полупроводниках. Уделял большое внимание теории неупорядоченных полупроводников и проблеме стохастических автоколебаний в полупроводниках.

В 1979 году занимал должность так называемого гаусс-профессора в Геттингенском университете. Почетный доктор естественных наук Берлинского университета имени Гумбольдта (ГДР). Лауреат премии имени М.В. Ломоносова за цикл работ по исследованию доменной электрической неустойчивости в полупроводниках.

Умер 9 апреля 1987 года в Москве.

Награжден орденом Отечественной войны II степени, медалями «За оборону Москвы», «За победу над Германией в великой Отечественной войне 1941–1945 гг.».

ЦАМО. Юбилейная картотека награждений. Ш. 4. Ящ. 4. ВК г. Москвы, Раменский райвоенкомат. Д. 21000201.